´ë·®±¸¸ÅȨ >
ÀÚ¿¬°ú °úÇÐ
>
±â¼ú°øÇÐ
>
Àü±â/ÀüÀÚ°øÇÐ

Basic Insight NAND Flash ¸Þ¸ð¸®: µ¿ÀÛƯ¼º
Á¤°¡ 39,000¿ø
ÆǸŰ¡ 39,000¿ø (0% , 0¿ø)
I-Æ÷ÀÎÆ® 1,170P Àû¸³(3%)
ÆǸŻóÅ ÆǸÅÁß
ºÐ·ù Àü±â/ÀüÀÚ°øÇÐ
ÀúÀÚ ÁøÁ¾¹®
ÃâÆÇ»ç/¹ßÇàÀÏ µµ¼­ÃâÆÇ È«¸ª(È«¸ª°úÇÐÃâÆÇ»ç) / 2016.08.20
ÆäÀÌÁö ¼ö 593 page
ISBN 9791156004509
»óÇ°ÄÚµå 257533114
°¡¿ëÀç°í Àç°íºÎÁ·À¸·Î ÃâÆÇ»ç ¹ßÁÖ ¿¹Á¤ÀÔ´Ï´Ù.
 
ÁÖ¹®¼ö·® :
´ë·®±¸¸Å Àü¹® ÀÎÅÍÆÄÅ© ´ë·®ÁÖ¹® ½Ã½ºÅÛÀ» ÀÌ¿ëÇÏ½Ã¸é °ßÀû¿¡¼­ºÎÅÍ ÇàÁ¤¼­·ù±îÁö Æí¸®ÇÏ°Ô ¼­ºñ½º¸¦ ¹ÞÀ¸½Ç ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
µµ¼­¸¦ °ßÀûÇÔ¿¡ ´ãÀ¸½Ã°í ½Ç½Ã°£ °ßÀûÀ» ¹ÞÀ¸½Ã¸é ±â´Ù¸®½Ç ÇÊ¿ä¾øÀÌ ÇÒÀιÞÀ¸½Ç ¼ö ÀÖ´Â °¡°ÝÀ» È®ÀÎÇÏ½Ç ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
¸ÅÁÖ ¹ß¼ÛÇØ µå¸®´Â ÀÎÅÍÆÄÅ©ÀÇ ½Å°£¾È³» Á¤º¸¸¦ ¹Þ¾Æº¸½Ã¸é »óÇ°ÀÇ ¼±Á¤À» ´õ¿í Æí¸®ÇÏ°Ô ÇÏ½Ç ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.

 ´ë·®±¸¸ÅȨ  > ÀÚ¿¬°ú °úÇÐ  > ±â¼ú°øÇÐ  > Àü±â/ÀüÀÚ°øÇÐ

(1°³)
 
Ã¥³»¿ë
NAND Flash »ê¾÷ÀÌ ½ÃÀÛµÇ°í ³ª¼­ 20¿©³â °¡±îÀÌ Á¦´ë·Î µÈ NAND Flash °ü·Ã À̷м­°¡ ³ª¿ÀÁö ¾Ê´Ù°¡, ºñ·Î¼­ NAND Á¦Ç°ÀÇ ±âº»µ¿ÀÛ¿¡ ´ëÇÏ¿© ¾Ë ¼ö Àִ åÀÌ Ãâ°£µÇ¾ú´Ù. ¹ÝµµÃ¼ °ü·ÃÇÑ Ã¥Àº ¸¹ÀÌ ³ª¿Í ÀÖÁö¸¸, ´ëºÎºÐ ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤¿¡ ´ëÇÑ Ã¥µéÀÌ°í, ¹ÝµµÃ¼ Á¦Ç°À» ÁýÁßÀûÀ¸·Î ´Ù·é Ã¥Àº ±×¸® ¸¹Áö ¾Ê´Ù. ±× Áß¿¡ ƯÈ÷ ºñÈֹ߼º ¸Þ¸ð¸®ÀÎ NAND Flash¿¡ °ü·ÃÇÑ Ã¥Àº ´õ¿í Èñ±ÍÇÏ´Ù. À̹ø¿¡ °³Á¤ÆÇÀ¸·Î ¼Ò°³µÇ´Â 'NAND Flash ¸Þ¸ð¸® µ¿ÀÛƯ¼º'Àº ÃÊÆÇÀÌ 2015³â 7¿ù¿¡ ¹ßÇàµÇ¾ú°í, °³Á¤ÆÇÀÌ 1³â ÈÄÀÎ 2016³â 8¿ù¿¡ ³ª¿Ô´Ù. ÀÌ Ã¥Àº NAND Flash¸¦ ÁýÁßÀûÀ¸·Î ´Ù·é Ã¥À¸·Î´Â Àü¼¼°èÀûÀ¸·Î µÎ¹ø°·Î Ãâ°£µÈ µµ¼­ÀÌ´Ù. ºñÈֹ߼º¸Þ¸ð¸® ȤÀº NOR Flash °ü·ÃÇÑ Ã¥Àº ¿À·¡ Àü¿¡ ³ª¿À±âµµ ÇßÀ¸³ª, ¿À·¡µÈ Technology°¡ ¼Ò°³µÇ¾î Àְųª ȤÀº NAND Flash¸¦ Àü¹®À¸·Î ´Ù·é Ã¥À̶ó ÇÏ´õ¶óµµ, ÀϺΠ±¹ÇÑµÈ EngineeringÀ» À§ÇÑ High level ³»¿ëÀ¸·Î½á ³Ê¹« ¼¼ºÎÀûÀÎ ³»¿ëÀ¸·Î Ä¡¿ìÃÄÁ® À־ ±âÃÊÀüÀÚÁö½ÄÀ» °®°í ÀÖ´Â ÀÏ¹Ý EngineerµéÀÌ Á¢±ÙÇϱ⠾î·Æ°Ô ¼³¸í µÇ¾îÀÖ¾ú´Ù. ±×·± ´ÜÁ¡À» º¸¾ÈÇϱâ À§ÇÏ¿©, 'NAND Flash ¸Þ¸ð¸® µ¿ÀÛƯ¼º'Àº NAND Flash°¡ ¾î¶»°Ô µ¿À۵ǴÂÁö, NAND FlashÀÇ ±¸¼ºÀº ¹«¾ùÀÎÁö, ÇöÀçÀÇ NAND Flash°¡ ¾È°í ÀÖ´Â ¹®Á¦Á¡Àº ¹«¾ùÀÎÁö, ¾î¶² ¹æÇâÀ¸·Î À̸¦ ÇØ°áÇØ ³ª¾Æ°¡¾ß ÇÏ´ÂÁö¿¡ ´ëÇÏ¿©, ±âº»ÀûÀÎ ÀüÀÚ°ü·Ã Áö½ÄÀ» ÀÌÇØÇÏ°í ÀÖ´Â EngineerµéÀÌ ½±°Ô Á¢±Ù ÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ¹ÝµµÃ¼ Technology¿Í NAND Á¦Ç°¿¡ ´ëÇÑ ³»¿ëÀ» ÀûÀýÈ÷ ¹èÇÕÇÏ¿©, Àü¹ÝÀûÀÎ NAND Flash¿¡ ´ëÇÏ¿© ´Ù·ç¾ú°í, ´õºÒ¾î¼­ Non-volatile Memory ƯÈ÷ NAND Flash°¡ ³ª¾Æ°¡¾ß ÇÒ ÁÂÇ¥µµ ÇÔ²² Á¦½ÃÇÏ°í ÀÖ´Ù. À̹ø¿¡ Ãâ°£µÇ´Â °³Á¤ÆÇ 'NAND Flash ¸Þ¸ð¸® µ¿ÀÛƯ¼º'Àº ±×·± Àǹ̿¡¼­ NAND Á¦Ç°ÀÇ ÁúÀû ¼ºÀåÀ» À§ÇÑ NAND Flash memoryÀÇ ÀÌ·ÐÀ» Á¤¸³ÇÏ´Â °è±â°¡ µÉ °ÍÀÌ´Ù. ±×¸®°í ÀÌÀÇ ÀÌ·Ð Á¤¸³À» ÅëÇÏ¿© NAND FlashÀ» ±â¹ÝÀ¸·Î ÇÑ ÀÀ¿ëÁ¦Ç°¿¡ ³¢Ä¥ ½Ã³ÊÁö ¿µÇâÀº Å©´Ù ÇÏ°Ú´Ù. ´õ ³ª¾Æ°¡ 'NAND Flash ¸Þ¸ð¸® µ¿ÀÛƯ¼º'À» ¹ßÆÇÀ¸·Î NAND Á¦Ç° °ü·Ã ¸¹Àº À̷м­µéÀÌ Ãâ°£µÇ°í, ±â¼úÀÇ º¯°îÁ¡¿¡ ÀÖ´Â NAND ¹× Â÷¼¼´ë Á¦Ç°µéÀÇ ¿¬±¸¿Í °³¹ßÀÌ ´õ¿í È°¼ºÈ­µÇ¾î, ¹ÝµµÃ¼ memory »ê¾÷¹ßÀü¿¡ À̹ÙÁö ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â µðµõµ¹ÀÌ µÉ Ã¥À¸·Î Æò°¡µÈ´Ù.
¸ñÂ÷
Chapter 01 ¿¡³ÊÁö ¾çÀÚÈ­¿Í Fermi È®·üÇÔ¼ö Chapter 02 Carrier »ý¼º°ú Energy Level Chapter 03 NAND FlashÀÇ ±âº» ¼ÒÀÚ, MOSFET Ư¼º Chapter 04 NAND FlashÀÇ Architecture Chapter 05 Threshold Voltage¿Í Á¦Ç° ´Ùº¯È­ Chapter 06 Program, Electron Injection Chapter 07 Erasure, NANDÀÇ °íÀ¯Æ¯¼º Chapter 08 Read, Cell »óÅÂÀÇ ±¸ºÐ ¹× Ãâ·Â Chapter 09 NANDÀÇ ½Å·Ú¼º°ú ºÒ·® Mechanism Chapter 10 NAND Density È®Àå ¹æÇâ Index Èıâ Appendix

ÀúÀÚ
ÁøÁ¾¹®
Àú¼­ [Basic Insight NAND flash ¸Þ¸ð¸® - µ¿ÀÛƯ¼º]

ÀÌ ÃâÆÇ»çÀÇ °ü·Ã»óÇ°
ÄÄÆÄÀÏ·¯ | ±è»ó¿í | µµ¼­ÃâÆÇ È«¸ª(È«¸ª°úÇÐÃâÆÇ»ç)
°­È­ÇнÀ °³³ä ¹× »ê¾÷ÇöÀåÀÇ Àû¿ë»ç·Ê | ÀÓÇö±³,ÀÓÇö±³,±è±ÍÈÆ | µµ¼­ÃâÆÇ È«¸ª(È«¸ª°úÇÐÃâÆÇ»ç)
ÃֽŠÀü±â¼³ºñ¼³°è | µµ¼­ÃâÆÇ È«¸ª(È«¸ª°úÇÐÃâÆÇ»ç)
entry¸¦ È°¿ëÇÑ ÇÇÁöÄÃÄÄÇ»Æðú ÄÚµù ±³À° | µµ¼­ÃâÆÇ È«¸ª(È«¸ª°úÇÐÃâÆÇ»ç)
ÀÓº£µðµå ¼ÒÇÁÆ®¿þ¾î¸¦ À§ÇÑ DSP ½Åȣó¸®¿Í TMS320F2837xD | µµ¼­ÃâÆÇ È«¸ª(È«¸ª°úÇÐÃâÆÇ»ç)

ÀÌ ºÐ¾ß ½Å°£ °ü·Ã»óÇ°
¹æÀü°¡°ø | ·ù¼º±â,¹Ú¿ë¿ì | º¹µÎÃâÆÇ»ç
 
µµ¼­¸¦ ±¸ÀÔÇϽŠ°í°´ ¿©·¯ºÐµéÀÇ ¼­ÆòÀÔ´Ï´Ù.
ÀÚÀ¯·Î¿î ÀÇ°ß ±³È¯ÀÌ °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù¸¸, ¼­ÆòÀÇ ¼º°Ý¿¡ ¸ÂÁö ¾Ê´Â ±ÛÀº »èÁ¦µÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.

µî·ÏµÈ ¼­ÆòÁß ºÐ¾ß¿Í »ó°ü¾øÀÌ ¸ÅÁÖ ¸ñ¿äÀÏ 5ÆíÀÇ ¿ì¼öÀÛÀ» ¼±Á¤ÇÏ¿©, S-Money 3¸¸¿øÀ» Àû¸³Çص帳´Ï´Ù.
ÃÑ 1°³ÀÇ ¼­ÆòÀÌ ÀÖ½À´Ï´Ù.
¹°¸®Àû  | hjsh*** | 2017/06/02 | ÆòÁ¡
¹è¼Û Á¤È®ÇÏ°Ô ¿À³×¿ä  | ksw*** | 2017/05/29 | ÆòÁ¡
¾î·Á¿ò  | hj*** | 2017/06/28 | ÆòÁ¡
1 | [total 1/1]
 

(1°³)