제1장 입자의 기초이론 1.1 소립자 1.2 전자볼트(eV : electron Volt) 및 전계 내의 전자운동 1.3 원자 구조 1.4 반도체의 종류 1.5 반도체의 구조 및 성질 1.6 반도체 결정 구조 1.7 에너지밴드 구조 1.8 자유전자와 정공 ■연습문제 제2장 고체 전자 이론 2.1 고체 내의 결합력 2.2 에너지 밴드 구조 2.3 금속, 반도체, 절연체 에너지 밴드 2.4 금속결정체 2.5 전자방출 2.6 페르미 다이락 분포함수 2.7 금속의 도전 현상 ■연습문제 제3장 반도체의 전기적 성질 3.1 전계 내 캐리어 운동 3.2 확산운동 3.3 재결합 3.4 순수 반도체와 불순물 반도체 3.5 홀 효과(Hall effect) ■연습문제 제4장 p-n 접합 제작 및 기본이론 4.1 p-n 접합 제작 4.2 p-n 접합 4.3 열평형상태에서의 p-n 접합 4.4 p-n 접합 바이어스 전압효과 4.5 p-n 접합의 전기적 특성 ■연습문제 제5장 p-n 접합 다이오드 특성 5.1 이상적 p-n 다이오드 동작 5.2 p-n 다이오드 특성 5.3 p-n 접합의 역방향 파괴현상 5.4 다이오드 스위칭 동작 5.5 터널 다이오드 5.6 항복 다이오드 5.7 가변용량 다이오드 5.8 금속과 반도체 접촉 ■연습문제 제6장 바이폴라 트랜지스터 6.1 트랜지스터 구조 6.2 트랜지스터의 동작원리 6.3 트랜지스터 확산 모델 6.4 증폭기로서 트랜지스터 기본동작 6.5 실제의 트랜지스터 6.6 공동베이스 특성 6.7 공동에미터접속(CE)의 정특성 6.8 트랜지스터의스위칭 동작 ■연습문제 제7장 전계효과 트랜지스터 이론과 특성 7.1 접합형 전계효과 트랜지스터 7.2 절연형 FET(MOS-FET) 7.3 공핍형 n채널 MOS-FET 7.4 CMOS-FET 7.5 MOS-FET의 정전용량 7.6 짧은(단) 채널 효과 7.7 소규모(Small Dimension) MOSFET 특성 ■연습문제 제8장 집적회로 이론 및 설계 8.1 반도체의 발달 과정 8.2 IC의 특징 8.3 반도체 IC 제품의 분류 8.4 IC의 구조에 의한 분류 8.5 동작에 의한 분류 8.6 반도체 주문형 집적회로 설계 8.7 기억소자 종류 및 동작원리 ■연습문제 제9장 반도체 단위공정 9.1 산화막 공정 9.2 확산 공정 9.3 이온주입공정 9.4 사진식각 9.5 화학증착 ■연습문제 제10장 집적회로 공정 10.1 마스크 제작 10.2 MOS 집적회로 제작과정 10.3 N-Channel MOS-FET 제조공정 10.4 NPN 바이폴라 트랜지스터 제조 공정 ■연습문제 제11장 특수 반도체 소자 11.1 PIN 다이오드 11.2 광 다이오드 11.3 레이저 다이오드 11.4 발광 다이오드 11.5 태양전지 ■연습문제 부록 A. 반도체 공학 실습 부록 B 1. 기본 물리상수, 단위의 환산 및 그리이스 문자 2. 반도체 웨이퍼 제조방법 3. 반도체 용어 해설